用于VGF法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物，如锗、砷化镓和磷化铟。
用于单晶薄膜沉积的分子束外延过程的坩埚。
用于液封提拉法制造复合晶体的坩埚。
用于合成多晶材料的理想容器。
广泛用于高温、真空环境中。
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